F. Weber, C. Kunz, S. Gräf, F. A. Müller, and M. Rettenmayr

Erzeugung eines einheitlich grob zweiphasigen Gefüges in einer hypereutektischen Ag-Si-Legierung

Generation of a Uniformly Coarse Two-Phase Microstructure in a Hypereutectic Ag-Si Alloy

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Für Benetzungsversuche wird ein einheitlich grob zweiphasiges Gefüge mit Gefügebestandteilen in der Größenordnung von ∼200 μm benötigt. Ein derartiges Gefüge wurde mit einer hypereutektischen Ag-Si-Legierung (Ag-10Gew.-%Si) erzeugt. Die Gefügeeinstellung erfolgte durch relativ langsame Abkühlung bis in die Nähe der eutektischen Temperatur, Vergröberung der primären Si-Phase im Zweiphasengemisch flüssig/fest und schließlich sehr langsame Abkühlung unter die eutektische Temperatur. Die Keimbildung von eutektischem Si wird durch die geringe Abkühlgeschwindigkeit und durch Rotation der Probe unterdrückt. Weiterhin wird durch die Rotation das Auftreten von Schwereseigerungen (Aufschwimmen von Primär-Si) verhindert.

Bibliographie
F. Weber, C. Kunz, S. Gräf, F. A. Müller, and M. Rettenmayr (2020). Generation of a Uniformly Coarse Two-Phase Microstructure in a Hypereutectic Ag-Si Alloy. Practical Metallography: Vol. 57, No. 2, pp. 105-115.
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ISSN 0032-678X